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拓材科技亮相第21届晶体生长与外延国际会议｜与诺奖得主共探晶体生长未来

发布时间：2025-08-12 09:04:17 浏览量：

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8月3日至8日，第21届晶体生长与外延国际会议（ICCGE-21）在西安曲江国际会议中心举办。大会自1966年在美国波士顿首次举办以来，历经半个多世纪的积淀，已成为全球晶体生长与外延领域具有权威性和影响力的学术盛会。

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拓材科技作为国内高纯半导体材料领域的领军企业，携其最新研发的高纯晶体材料亮相，并在会议期间与全球产业链伙伴展开深度对话，收获颇丰。

01 以思想碰撞定义未来

本次会议不仅设置了17个分会场，还安排了139场邀请报告、251场口头报告以及144项墙报展示。会上，众多优秀学者分享的创新性研究成果，有效拓宽了参会者的学术视野。

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会议期间，2014年诺贝尔物理学奖得主Hiroshi Amano教授在拓材科技展台进行了深入探讨交流，并与董事长卢鹏荐留影合照。Hiroshi Amano教授长期致力于氮化物半导体材料与器件研究，特别是氮化镓材料生长和器件制备研究。

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▲诺奖得主Hiroshi Amano教授与拓材科技董事长卢鹏荐

02 从“材料供应商”到“技术生态构建者”

会议期间，拓材科技展示了其在半导体晶体材料生产方面的核心技术与成果，包括不同规格、适用于多种半导体器件制造的碲锌镉、碲化镉、磷化铟、砷化镓、氧化镓等多晶产品。

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此次ICCGE-21之行，不仅让拓材科技更加清晰地把握了全球晶体生长技术的最新动态，也进一步提升了公司在国际学术与产业界的影响力。

未来，拓材科技将继续深耕高纯晶体材料及半导体材料的研发，推动国产高端材料的自主可控，助力中国晶体生长技术在全球舞台上的崛起。

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标签：高纯锌高纯铝碲化锌高纯碲高纯磷高纯锗高纯铟 MBE MBE 高纯材料

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